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過去ログ40
2022/3/6 16:42
Dr.LappNMOSは可変抵抗？
NMOS（FET）はゲート電圧(Vgs)によって，ＤＳ（ドレイン・ソース）間をon/off
できるので，電子スイッチとして使える。下の18650バッテリーの放電時間実験は，
その特性を利用して，途中で負荷を切り離して，過放電にならないようにしたもの。
しかし，on/off特性も「スパッ」とスイッチングできるわけではなく，だらだらと
電流が下がってくるので，リレー動作はどこで切っているのかは不明確である。
NMOSはVgs電圧で，チャネルの通り道の幅を変えて，Id（ドレイン電流）を制御
しているんだが，結局これはDS間の抵抗Rdsを変えていることに他ならない。
まず，これがどんな風に変わっているかを，簡易測定してみた。
図１のように，電圧発生器から0.1V〜4.0Vくらいの電圧をGS間にかけ（Vgs），
テスターの抵抗レンジでDS間の抵抗Rdsを測るという方法。まあ，かなりの簡易法。
図２が測定結果の一例。
上は，18650放電特性で負荷切り離しに使ったNMOSのFKI10531（サンケン電気株式会社）
のもので，データシートでは，Gate Threshold Voltage（Vt）=1.0〜2.0〜2.5（V）で
Static Drain to Source On-Resistance（Rds(on)）=36.5〜 56.5（mΩ）となっている。
下は，小さいNMOSのBS170で，Vt= 0.8〜 2.1〜 3（V），Rds(on)=1.2 〜5 (Ω)と
なっている。なお，トランジスターテスターでの実測では，FKI10531 Vt=2.4(V),
BS170 Vt=2.6(V)であった。
図１上下のグラフ（横軸：Vgs，縦軸：Rds）が示すように，抵抗RdsはMΩからmΩまで
非常に広い範囲で変わることが分かった。FKI10531は数10MΩから0.1Ω(テスターの
測定限界）まで，指数関数的に変化する。BS170はVt=2.6V付近までは指数関数的に減少
していくが，2.6V以下ではあまり下がらない傾向にあった。
ただ，Vgs-Rds関係は，Rdsを測る電圧にも大きく依存することが分かっているので，これは
１つの測定結果で，すべてに適用することはできない。しかし，標題に示した「NMOSは可変抵抗？」
に答えるには「工夫次第で可変抵抗として使える」ということになろう。
https://i.imgur.com/AHqbArp.jpghttps://i.imgur.com/wON3suK.jpg
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らに米国大統領を自称するジョセフ・R・バイデンは、わが国の戦略核兵器を起動するのに必要なコードを持たないので、原子爆弾による終末を引き起こすことはできないと、軍の高官筋が語った。
「核の三重奏は安全だ。政権の誰も持っていない」と、海兵隊のデビッド・H・バーガー将軍のオフィスに座っているこの情報筋は言った。
「トランプ大統領は暴動法に署名した際、米軍に政府の暫定的な支配権を与えた。この法律を取り消すことができるのは、国内で2人、バーガー将軍か、トランプ大統領自身だけだ」と付け加えた。
無名さんはふはふ
あテスト
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ななっちおばんでやす
テスト男テストです
画
なまえとうこうしてみた